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Data Sheet
10V Drive Nch MOSFET
R5019ANJ
? Structure
Silicon N-channel MOSFET
? Dimensions (Unit : mm)
LPTS
? Features
1) Low on-resistance.
2) High-speed switching.
10.1
1.24
4.5
1.3
3) Wide SOA.
(1) Gate
2.54
5.08
0.78
0.4
2.7
4) Drive circuits can be simple.
(2) Drain
(1)
(2)
(3)
5) Parallel use is easy.
? Application
Switching
? Packaging specifications
Package
Taping
(3) Source
? Inner circuit
Type
Code
TL
R5019ANJ
Basic ordering unit (pieces)
1000
?
? 1
? Absolute maximum ratings (Ta = 25 ? C)
(1) Gate
(2) Drain
(1)
(2)
(3)
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Symbol
V DSS
V GSS
Limits
500
? 30
Unit
V
V
(3) Source
? 1 BODY DIODE
Drain current
Source current
(Body Diode)
Avalanche current
Avalanche energy
Power dissipation
Continuous
Pulsed
Continuous
Pulsed
I D
I DP
I S
I SP
I AS
E AS
P D
*3
*1
*3
*1
*2
*2
*4
? 19
? 76
19
76
9.5
24.3
100
A
A
A
A
A
mJ
W
Channel temperature
Range of storage temperature
T ch
T stg
150
? 55 to ? 150
? C
? C
*1 Pw ? 10 ? s, Duty cycle ? 1%
*2 L
500 ? H, V DD =50V, R G =25 ? , T ch =25 ? C
*3 Limited only by maximum temperature allowed.
*4 T C =25 ? C
? Thermal resistance
Parameter
Channel to Case
Symbol
R th (ch-c)
Limits
1.25
Unit
? C / W
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
1/5
2011.10 - Rev.A
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